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BCP55(SOT89-3L)中文PDF资料信息
BCP55(SOT89-3L)中文PDF资料
BCP55(SOT89-3L)
功能描述:
晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):60V 集电极电流(Ic):1A 功率(Pd):1.5W 集电极截止电流(Icbo):100nA 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):250@150mA,2V ?
PDF文件大小:
1.70 Mbytes
PDF页数:
共5页
制造商:
HXY MOSFET(华轩阳电子)
制造商LOGO:
制造商网址:
https://www.hxymos.com/
下载:
BCP55(SOT89-3L)中文PDF资料
BCP55(SOT89-3L)
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