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BCP5616QTA /Diodes Incorporated/分立半导体产品
BCP5616QTA的规格信息
BCP5616QTA的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:1,000

类别:分立半导体产品

家庭:晶体管(BJT) - 单路

系列:-

包装:带卷(TR)

晶体管类型:NPN

电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A

电压 - 集射极击穿(最大值):80V

不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 50mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)

不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 150mA,2V

功率 - 最大值:2W

频率 - 跃迁:150MHz

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA

供应商器件封装:SOT-223

其它名称:BCP5616QTADITR

供应商BCP5616QTA
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BCP5616QTADIODES ZETEX2000+:¥0.3
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BCP5616QTADiodes IncorporatedTRANS NPN 80V 1A SOT223$0.37000
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BCP5616QTADiodes Inc.晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品2000+:¥0.3
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BCP5616QTADIODES(美台)集电极电流Ic:1A 额定功率:2W 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:80V5+:¥0.702473
50+:¥0.529317
150+:¥0.497513
500+:¥0.465709
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