NGTB10N60R2DT4G，NGTB10N60R2DT4G中文PDF资料下载

NGTB10N60R2DT4G中文PDF资料

	NGTB10N60R2DT4G
功能描述：	栅极阈值电压-VGE(th)：7V @ 160uA 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：2.1V @ 15V,10A 集电极电流（Ic）（最大值）：20A 集射极击穿电压（最大值）：600V 类型：-
PDF文件大小：	619.88 Kbytes
PDF页数：	共7页
制造商：	ON(安森美)
制造商LOGO：
制造商网址：	http://www.onsemi.com
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