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NGD8205NT4G /ON Semiconductor/分立半导体产品
NGD8205NT4G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

标准包装:2,500

类别:分立半导体产品

家庭:IGBT - 单路

系列:-

包装:带卷(TR)

IGBT 类型:-

电压 - 集射极击穿(最大值):390V

电流 - 集电极(Ic)(最大值):20A

脉冲电流 - 集电极 (Icm):50A

不同?Vge,Ic 时的?Vce(on):1.9V @ 4.5V,20A

功率 - 最大值:125W

开关能量:-

输入类型:逻辑

栅极电荷:-

25°C 时 Td(开/关)值:-/5µs

测试条件:300V,9A,1 千欧,5V

反向恢复时间(trr):-

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:DPAK-3

其它名称:NGD8205NT4G-NDNGD8205NT4GOSTR

供应商NGD8205NT4G
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NGD8205NT4GIgnition IGBT 20 Amp, 350 Volt, N−Channel DPAK ONSEMI[ON Semiconductor]ONSEMI[ON Semiconductor]的LOGO142.88 Kbytes共7页NGD8205NT4G的PDF下载地址NGB8206N,NGB8207N,NGB8204N,NCS2502,DIM200WLS12-A000,MS5F5617,DIM600BSS12-A000,PT78ST100,MS5F6015,DIM600DDM17-A000
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NGD8205NT4GON SemiconductorIGBT 390V 20A 125W DPAKObsolete
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NGD8205NT4GON SemiconductorIGBT - 单路 - 分立半导体产品1+:¥7.93
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NGD8205NT4GON Semiconductor*** CHECK OUT OUR CYBER WEEK DEALS *** SINGLE IGBT, 390V, FULL REEL; DC Collector Current:20A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.6V; Power Dissipation Pd:125W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:390V; No. of Pins:3; Operating Temperature Max:175°C ;RoHS Compliant: Yes25,000 : $0.889
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Rochester
NGD8205NT4GON SemiconductorIGBT - 单路 - 分立半导体产品1+:¥7.931+:¥5.72
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