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ZXTN2011GTA /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100V NPN Med Power
ZXTN2011GTA的规格信息
ZXTN2011GTA的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Diodes Incorporated

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-223-4

晶体管极性:NPN

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:100 V

集电极—基极电压 VCBO:200 V

发射极 - 基极电压 VEBO:7 V

最大直流电集电极电流:6 A

增益带宽产品fT:130 MHz

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:ZXTN201

高度:1.65 mm

长度:6.7 mm

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

宽度:3.7 mm

商标:Diodes Incorporated

集电极连续电流:6 A

Pd-功率耗散:3 W

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:1000

子类别:Transistors

单位重量:112 mg

供应商ZXTN2011GTA
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芯莱德电子(香港)有限公司ZXTN2011GTA深圳市福田区航都大厦10L13352985419
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13380394549
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深圳市河锋鑫科技有限公司ZXTN2011GTA华强北现代之窗A 9D0755-23903154
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深圳市芯泽盛世科技有限公司ZXTN2011GTA龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋18220755-89697985
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深圳市辰芯伟业科技有限公司ZXTN2011GTA华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
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ZXTN2011GTA100V NPN LOW SATURATION MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223 ZETEX[Zetex Semiconductors]ZETEX[Zetex Semiconductors]的LOGO122.8 Kbytes共6页ZXTN2011GTA的PDF下载地址ZX5T853G,ZX5T849G,ZXTP2013G,ZX5T851G,ZX5T853Z,ZXTN2007G,ZXTN2010G,ZX5T955G,ZXT953K
ZXTN2011GTA100V NPN LOW SATURATION MEDIUM POWER LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT223 ZETEX[Zetex Semiconductors]ZETEX[Zetex Semiconductors]的LOGO135.61 Kbytes共6页ZXTN2011GTA的PDF下载地址ZX5T953G,ZXTP2013Z,ZX5T953Z,ZXTP2014G,2N6059_03,ZX5T869Z,ZXTEM322_06,ZXTDCM832,ZXTN25100DFH,2SD882S
ZXTN2011GTA100V NPN LOW SATURATION MEDIUM POWER LOW SATURATION DIODES[Diodes Incorporated]DIODES[Diodes Incorporated]的LOGO142.47 Kbytes共6页ZXTN2011GTA的PDF下载地址
ZXTN2011GTA的全球分销商及价格
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Allied Electronics
ZXTN2011GTADiodes Inc100V NPN Low Saturat. Transistor SOT-223+50:$0.75
+100:$0.74
+250:$0.72
+500:$0.68
元器件资料网-Allied Electronics的LOGO
Allied Electronics
ZXTN2011GTADiodes Incorporated100V NPN Low Saturat. Transistor SOT-2231,000 : $0.45
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Arrow(艾睿)
ZXTN2011GTADIODES ZETEX1000+:¥2.74
2000+:¥2.56
5000+:¥2.42
10000+:¥2.34
25000+:¥2.26
50000+:¥2.191+:¥5.1601
10+:¥4.17
100+:¥3.21
500+:¥2.8401
1000+:¥2.6899
2000+:¥2.47
10000+:¥2.4
25000+:¥2.3301
50000+:¥2.285+:¥4.7
25+:¥3.32
100+:¥3.261+:¥2.56
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Arrow(艾睿)
ZXTN2011GTADiodes IncorporatedTrans GP BJT NPN 100V 6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
RoHS : Compliant
100 : $0.488
250 : $0.4645
500 : $0.3251
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Avnet Express
ZXTN2011GTADiodes Incorporated1,000 : $0.4086
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Chip1Stop
ZXTN2011GTADiodes IncorporatedTrans GP BJT NPN 100V 6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
RoHS : Compliant
5 : $0.884
100 : $0.552
1,000 : $0.374
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ChipOneStop
ZXTN2011GTADiodes Inc.晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 两极晶体管 - BJT 100V NPN Med Power1000+:¥2.74
2000+:¥2.56
5000+:¥2.42
10000+:¥2.34
25000+:¥2.26
50000+:¥2.191+:¥5.1601
10+:¥4.17
100+:¥3.21
500+:¥2.8401
1000+:¥2.6899
2000+:¥2.47
10000+:¥2.4
25000+:¥2.3301
50000+:¥2.285+:¥4.7
25+:¥3.32
100+:¥3.26
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
ZXTN2011GTADiodes IncorporatedTRANS NPN 100V 6A SOT2235,000 : $0.3325
2,000 : $0.35
1,000 : $0.375
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
ZXTN2011GTADiodes Inc.晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 两极晶体管 - BJT 100V NPN Med Power1000+:¥2.74
2000+:¥2.56
5000+:¥2.42
10000+:¥2.34
25000+:¥2.26
50000+:¥2.19
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Digi-Key 得捷电子
ZXTN2011GTADiodes IncorporatedTRANS NPN 100V 6A SOT223$0.87000
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Future Electronics
ZXTN2011GTADiodes IncorporatedZXTN2011G Series 100 V 6 A NPN SMT Silicon Medium Power Transistor - SOT-223
RoHS : Compliant
1,000 : $0.3722
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
ZXTN2011GTADiodes Incorporated双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100V NPN Med Power1:¥6.3054
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
1,000:¥2.8815
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
ZXTN2011GTADiodes Inc.晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 两极晶体管 - BJT 100V NPN Med Power1000+:¥2.74
2000+:¥2.56
5000+:¥2.42
10000+:¥2.34
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50000+:¥2.191+:¥5.1601
10+:¥4.17
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500+:¥2.8401
1000+:¥2.6899
2000+:¥2.47
10000+:¥2.4
25000+:¥2.3301
50000+:¥2.28
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical
ZXTN2011GTADIODES ZETEX1000+:¥2.74
2000+:¥2.56
5000+:¥2.42
10000+:¥2.34
25000+:¥2.26
50000+:¥2.191+:¥5.1601
10+:¥4.17
100+:¥3.21
500+:¥2.8401
1000+:¥2.6899
2000+:¥2.47
10000+:¥2.4
25000+:¥2.3301
50000+:¥2.285+:¥4.7
25+:¥3.32
100+:¥3.261+:¥2.561+:¥2.32
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Verical
ZXTN2011GTADiodes IncorporatedTrans GP BJT NPN 100V 6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R$0.268
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立创商城
ZXTN2011GTADIODES(美台)集电极电流Ic:6A 额定功率:3W 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:100V1+:¥6.11
10+:¥5.94