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ZXTN2010ZQTA /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Low Sat Transistor
ZXTN2010ZQTA的规格信息
ZXTN2010ZQTA的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Diodes Incorporated

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

晶体管极性:NPN

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:80 V

集电极—基极电压 VCBO:190 V

发射极 - 基极电压 VEBO:8.1 V

集电极—射极饱和电压:230 mV

最大直流电集电极电流:20 A

增益带宽产品fT:130 MHz

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:ZXTN2010

直流电流增益 hFE 最大值:300

商标:Diodes Incorporated

集电极连续电流:5 A

Pd-功率耗散:1.5 W

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

资格:AEC-Q101

工厂包装数量:1000

子类别:Transistors

供应商ZXTN2010ZQTA
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