产品更改通知：MLP322, 832 Pkg Discontinuation 20/Dec/2010
标准包装：3,000
晶体管类型：NPN, PNP
集电极电流（Ic）（最大）：4.5A, 4A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：15V, 12V
Vce饱和（最大）@ IB，IC：280mV @ 50mA, 4.5A / 300mV @ 150mA, 4A
电流 - 集电极截止（最大）：25nA
直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：200 @ 3A, 2V / 180 @ 2.5A, 2V
功率 - 最大：1W
频率转换：120MHz, 110MHz
安装类型
：Surface Mount
包/盒
：8-MLP
供应商器件封装：8-MLP (3x2)
包装材料
：Tape & Reel (TR);;其他的名称；
集电极最大直流电流：5@NPN|4.4@PNP
最小直流电流增益：200@10mA@2V|300@200mA@2V|200@3A@2...
欧盟RoHS指令：Compliant
最高工作温度：150
最大集电极基极电压：40@NPN|20@PNP
包装高度：1(Max)
安装：Surface Mount
最大基地发射极电压：7.5
Maximum Transition Frequency ：120(Typ)@NPN|110(Typ)@PNP
封装：Tape and Reel
PCB：8
最大集电极发射极电压：15@NPN|12@PNP
每个芯片的元件数：2
包装宽度：2
供应商封装形式：MLP
包装长度：3
最大功率耗散：3000
类型：NPN|PNP
引脚数：8
电流 - 集电极（ Ic）（最大）：4.5A, 4A
晶体管类型：NPN, PNP
安装类型：Surface Mount
频率 - 转换：120MHz, 110MHz
下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：280mV @ 50mA, 4.5A / 300mV @ 150mA, 4A
电流 - 集电极截止（最大）：25nA
标准包装：3,000
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：15V, 12V
供应商设备封装：8-MLP (3x2)
功率 - 最大：1W
封装/外壳：8-MLP
直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：200 @ 3A, 2V / 180 @ 2.5A, 2V
其他名称：ZXTDA1M832TATR
RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量：3000
集电极 - 发射极饱和电压：240 mV
产品种类：Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性：NPN/PNP
发射极 - 基极电压VEBO：7.5 V
最大功率耗散：1.5 W
直流集电极/增益hfe最小值：200 at 10 mA at 2 V at NPN, 300 at 200 mA at 2 V at NPN, 200 at 3 A at 2 V at NPN, 150 at 5 A at 2 V at NPN, 300 at 10 mA at 2 V at PNP, 300 at 100 mA at 2 V at PNP, 180 at 2.5 A at 2 V at PNP, 60 at 8 A at 2 V at PNP, 45 at 10 A at 2 V at PNP
直流电流增益hFE最大值：200
增益带宽产品fT：110 MHz, 120 MHz
集电极 - 发射极最大电压VCEO：15 V, 12 V
安装风格：SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO：40 V, 20 V
集电极最大直流电流：5 A, 4.4 A
配置：Dual
最高工作温度：+ 150 C