Rohs：Lead free / RoHS Compliant
标准包装：3,000
晶体管类型：NPN, PNP
- 集电极电流（Ic）（最大）：4A, 3A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V, 40V
Vce饱和（最大）@ IB，IC：320mV @ 200mA, 4A / 370mV @ 250mA, 2.5A
电流 - 集电极截止（最大）：100nA
直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：100 @ 2A, 2V / 60 @ 1.5A, 2V
功率 - 最大：1.7W
频率转换：165MHz, 190MHz
安装类型
：Surface Mount
包/盒
：8-WDFN Exposed Pad
供应商器件封装：8-DFN (3x2)
包装材料
：Tape & Reel (TR)
包装：8DFN EP
类型：NPN|PNP
引脚数：8
最大集电极发射极电压：50@NPN|40@PNP V
集电极最大直流电流：4.5@NPN|3.5@PNP A
最小直流电流增益：200@10mA@2V@NPN|300@200mA@2V@NPN|200@1A@2V@NPN|100@2A@2V@NPN|300@10mA@2V@PNP|300@100mA@2V@PNP|180@1A@2V@PNP|60@1.5A@2V@PNP|12@3A@2V@PNP
最大工作频率：165(Typ)@NPN|190(Typ)@PNP MHz
最大集电极发射极饱和电压：0.02@10mA@0.1A@NPN|0.2@10mA@1A@NPN|0.1@50mA@1A@NPN|0.22@50mA@2A@NPN|0.3@100mA@3A@NPN|0.32@200mA@4A@NPN|0.04@10mA@0.1A@PNP|0.22@50mA@1A@PNP|0.3@100mA@1.5A@PNP|0.3@200mA@2A@PNP|0.37@250mA@2.5A@PNP V
最大集电极基极电压：100@NPN|50@PNP V
工作温度：-55 to 150 °C
最大功率耗散：2450 mW
安装：Surface Mount
标准包装：Tape & Reel
集电极最大直流电流：4.5@NPN|3.5@PNP
最低工作温度：-55
Maximum Transition Frequency ：165(Typ)@NPN|190(Typ)@PNP
包装宽度：2
PCB：8
最大功率耗散：2450
欧盟RoHS指令：Compliant
每个芯片的元件数：2
最大集电极基极电压：100@NPN|50@PNP
最大集电极发射极电压：50@NPN|40@PNP
供应商封装形式：DFN EP
标准包装名称：DFN
最高工作温度：150
包装长度：3
包装高度：0.78
最大基地发射极电压：7
封装：Tape and Reel
铅形状：No Lead
P（ TOT ）：1.5W
匹配代码：ZXTC6719MC
I（C ）：4A
V（ CEO ）：50V
单位包：3000
标准的提前期：17 weeks
最小起订量：3000
极化：NPN/PNP
无铅Defin：RoHS-conform
汽车：AEC-Q(101)
电流增益：400
V（ CBO ）：100V
电流 - 集电极（ Ic）（最大）：4A, 3A
晶体管类型：NPN, PNP
安装类型：Surface Mount
频率 - 转换：165MHz, 190MHz
下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：320mV @ 200mA, 4A / 370mV @ 250mA, 2.5A
电流 - 集电极截止（最大）：100nA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V, 40V
供应商设备封装：8-DFN (3x2)
功率 - 最大：1.7W
封装/外壳：8-WDFN Exposed Pad
直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：100 @ 2A, 2V / 60 @ 1.5A, 2V
其他名称：ZXTC6719MCTATR