标准包装：1,000
晶体管类型：NPN
集电极电流（Ic）（最大）：7A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：30V
Vce饱和（最大）@ IB，IC：220mV @ 300mA, 6.5A
电流 - 集电极截止（最大）：-
直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：100 @ 1A, 1V
功率 - 最大：3W
频率转换：140MHz
安装类型
：Surface Mount
包/盒
：TO-261-4, TO-261AA
供应商器件封装：SOT-223
包装材料
：Tape & Reel (TR)
动态目录：NPN Transistors###/catalog/en/partgroup/npn-transistors/14684?mpart=ZX5T849GTA&vendor=31&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名称；
包装：4SOT-223
类型：NPN
引脚数：4
最大集电极发射极电压：30 V
集电极最大直流电流：7 A
最小直流电流增益：100@10mA@1V|100@1A@1V|100@7A@1V|20@20A@1V
最大工作频率：140(Typ) MHz
最大集电极发射极饱和电压：0.035@20mA@0.5A|0.05@100mA@1A|0.065@20mA@1A|0.125@20mA@2A|0.22@300mA@6.5A V
最大集电极基极电压：80 V
工作温度：-55 to 150 °C
最大功率耗散：3000 mW
安装：Surface Mount
标准包装：Tape & Reel
集电极最大直流电流：7
Maximum Transition Frequency ：140(Typ)
包装宽度：3.7(Max)
PCB：3
最大功率耗散：3000
欧盟RoHS指令：Compliant
每个芯片的元件数：1
最大集电极基极电压：80
最低工作温度：-55
供应商封装形式：SOT-223
标准包装名称：SOT-223
最高工作温度：150
包装长度：6.7(Max)
最大集电极发射极电压：30
包装高度：1.65(Max)
最大基地发射极电压：7
封装：Tape and Reel
标签：Tab
铅形状：Gull-wing
电流 - 集电极（ Ic）（最大）：7A
晶体管类型：NPN
安装类型：Surface Mount
频率 - 转换：140MHz
下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：220mV @ 300mA, 6.5A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：30V
供应商设备封装：SOT-223
功率 - 最大：3W
封装/外壳：TO-261-4, TO-261AA
直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：100 @ 1A, 1V
其他名称：ZX5T849GCT
RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量：1000
增益带宽产品fT：140 MHz
产品种类：Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性：NPN
发射极 - 基极电压VEBO：7 V
直流集电极/增益hfe最小值：20
直流电流增益hFE最大值：300
集电极 - 发射极最大电压VCEO：30 V
安装风格：SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO：80 V
最低工作温度：- 55 C
配置：Single
最高工作温度：+ 150 C
RoHS：RoHS Compliant
连续集电极电流：7 A
集电极电流（ DC）（最大值）：7 A
集电极 - 基极电压：80 V
集电极 - 发射极电压：30 V
发射极 - 基极电压：7 V
频率：140 MHz
功率耗散：3 W
工作温度范围：-55C to 150C
包装类型：SOT-223
元件数：1
直流电流增益（最小值）：100