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ZX5T3ZTC / Trans GP BJT PNP 40V 5.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
ZX5T3ZTC的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

Rohs:Lead free / RoHS Compliant

标准包装:4,000

晶体管类型:PNP

- 集电极电流(Ic)(最大):5.5A

电压 - 集电极发射极击穿(最大):40V

Vce饱和(最大)@ IB,IC:185mV @ 550mA, 5.5A

电流 - 集电极截止(最大):20nA

直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE:200 @ 500mA, 2V

功率 - 最大:2.1W

频率转换:152MHz

安装类型 :Surface Mount

包/盒 :TO-243AA

供应商器件封装:SOT-89-3

包装材料 :Tape & Reel (TR)

包装:4SOT-89

类型:PNP

引脚数:4

最大集电极发射极电压:40 V

集电极最大直流电流:5.5 A

最小直流电流增益:200@10mA@2V|200@500mA@2V|170@2A@2V|110@5.5A@2V

最大工作频率:152(Typ) MHz

最大集电极发射极饱和电压:0.03@10mA@0.1A|0.06@100mA@1A|0.07@50mA@1A|0.165@10mA@1A|0.08@200mA@2A|0.175@40mA@2A|0.175@175mA@3.5A|0.185@550mA@5.5A V

最大集电极基极电压:50 V

工作温度:-55 to 150 °C

最大功率耗散:3000 mW

安装:Surface Mount

标准包装:Tape & Reel

单位包:4000

最小起订量:4000

电流 - 集电极( Ic)(最大):5.5A

晶体管类型:PNP

安装类型:Surface Mount

频率 - 转换:152MHz

下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件:185mV @ 550mA, 5.5A

电流 - 集电极截止(最大):20nA

电压 - 集电极发射极击穿(最大):40V

供应商设备封装:SOT-89-3

封装:Tape & Reel (TR)

功率 - 最大:2.1W

封装/外壳:TO-243AA

直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时:200 @ 500mA, 2V

RoHS指令:Lead free / RoHS Compliant

工厂包装数量:4000

增益带宽产品fT:152 MHz

产品种类:Transistors Bipolar - BJT

晶体管极性:PNP

发射极 - 基极电压VEBO:7.5 V

直流集电极/增益hfe最小值:200

直流电流增益hFE最大值:200

集电极 - 发射极最大电压VCEO:40 V

安装风格:SMD/SMT

集电极 - 基极电压VCBO:50 V

最低工作温度:- 55 C

配置:Single

供应商ZX5T3ZTC
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ZX5T3ZTCTRANS PNP 40V 5.5A SOT-89Diodes IncorporatedDiodes Incorporated的LOGO187.81 Kbytes共7页ZX5T3ZTC的PDF下载地址
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ZX5T3ZTCDiodes Inc.晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品4000+:¥1.83
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ZX5T3ZTCDiodes IncorporatedTRANS PNP 40V 5.5A SOT-89$0.26590
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ZX5T3ZTCDiodes Incorporated双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 40V HI GAIN LOW SATURATION4,000:¥2.1244
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ZX5T3ZTCDiodes Inc.晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品4000+:¥1.834000+:¥1.71
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