Rohs：Lead free / RoHS Compliant
标准包装：2,000
晶体管类型：PNP
- 集电极电流（Ic）（最大）：3A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：140V
Vce饱和（最大）@ IB，IC：330mV @ 300mA, 3A
电流 - 集电极截止（最大）：-
直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：100 @ 1A, 5V
功率 - 最大：1.2W
频率转换：110MHz
安装类型
：Through Hole
包/盒
：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
供应商器件封装：TO-92-3
包装材料
：Tape & Box (TB)
包装：3E-Line
类型：PNP
引脚数：3
最大集电极发射极电压：140 V
集电极最大直流电流：3 A
最小直流电流增益：100@10mA@5V|100@1A@5V|75@3A@5V
最大工作频率：110(Typ) MHz
最大集电极发射极饱和电压：0.06@5mA@100mA|0.1@50mA@500mA|0.12@100mA@1A|0.33@300mA@3A V
最大集电极基极电压：180 V
工作温度：-55 to 200 °C
最大功率耗散：1200 mW
安装：Through Hole
标准包装：Ammo Pack
P（ TOT ）：1.2W
匹配代码：ZTX955STZ
I（C ）：3A
V（ CEO ）：140V
单位包：2000
标准的提前期：16 weeks
最小起订量：2000
极化：NPN
无铅Defin：RoHS-conform
电流增益：200
V（ CBO ）：180V
电流 - 集电极（ Ic）（最大）：3A
晶体管类型：PNP
安装类型：Through Hole
频率 - 转换：110MHz
下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：330mV @ 300mA, 3A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：140V
供应商设备封装：E-Line (TO-92 compatible)
封装：Tape & Box (TB)
功率 - 最大：1.2W
封装/外壳：E-Line-3, Formed Leads
直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：100 @ 1A, 5V
RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量：2000
增益带宽产品fT：110 MHz
产品种类：Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性：PNP
发射极 - 基极电压VEBO：- 6 V
直流集电极/增益hfe最小值：100 at 10 mA at 5 V, 100 at 1 A at 5 V, 75 at 3 A at 5 V
直流电流增益hFE最大值：100 at 10 mA at 5 V
集电极 - 发射极最大电压VCEO：140 V
安装风格：Through Hole
集电极 - 基极电压VCBO：- 180 V
最低工作温度：- 55 C
配置：Single
最高工作温度：+ 150 C