Rohs：Lead free / RoHS Compliant
标准包装：2,000
晶体管类型：NPN - Avalanche Mode
- 集电极电流（Ic）（最大）：500mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：100V
Vce饱和（最大）@ IB，IC：500mV @ 1mA, 10mA
电流 - 集电极截止（最大）：-
直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：25 @ 10mA, 10V
功率 - 最大：680mW
频率转换：40MHz
安装类型
：Through Hole
包/盒
：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
供应商器件封装：TO-92-3
包装材料
：Tape & Box (TB)
包装：3E-Line
类型：NPN
引脚数：3
最大集电极发射极电压：100 V
集电极最大直流电流：0.5 A
最小直流电流增益：25@10mA@10V
最大工作频率：40(Min) MHz
最大集电极发射极饱和电压：0.5@1mA@10mA V
最大集电极基极电压：260 V
工作温度：-55 to 175 °C
最大功率耗散：680 mW
安装：Through Hole
标准包装：Tape & Reel
集电极最大直流电流：0.5
最低工作温度：-55
Maximum Transition Frequency ：40(Min)
包装宽度：2.41(Max)
PCB：3
最大功率耗散：680
欧盟RoHS指令：Compliant
每个芯片的元件数：1
最大集电极基极电压：260
最大集电极发射极电压：100
供应商封装形式：E-Line
标准包装名称：TO-92
最高工作温度：175
包装长度：4.77(Max)
包装高度：4.01(Max)
最大基地发射极电压：6
封装：Box
铅形状：Through Hole
电流 - 集电极（ Ic）（最大）：500mA
晶体管类型：NPN - Avalanche Mode
安装类型：Through Hole
频率 - 转换：40MHz
下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：500mV @ 1mA, 10mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：100V
供应商设备封装：E-Line (TO-92 compatible)
功率 - 最大：680mW
封装/外壳：E-Line-3, Formed Leads
直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：25 @ 10mA, 10V
RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量：4000
集电极 - 发射极饱和电压：0.5 V
产品种类：Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性：NPN
发射极 - 基极电压VEBO：6 V
直流电流增益hFE最大值：25 at 10 mA at 10 V
增益带宽产品fT：40 MHz
集电极 - 发射极最大电压VCEO：100 V
安装风格：Through Hole
集电极 - 基极电压VCBO：260 V
最低工作温度：- 55 C
配置：Single
最高工作温度：+ 150 C