Rohs：Lead free / RoHS Compliant
标准包装：2,000
晶体管类型：NPN
- 集电极电流（Ic）（最大）：3A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：120V
Vce饱和（最大）@ IB，IC：310mV @ 150mA, 3A
电流 - 集电极截止（最大）：10nA
直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：300 @ 1A, 10V
功率 - 最大：1W
频率转换：130MHz
安装类型
：Through Hole
包/盒
：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
供应商器件封装：TO-92-3
包装材料
：Tape & Reel (TR)
产品种类：Transistors Bipolar - BJT
RoHS：RoHS Compliant
配置：Single
晶体管极性：NPN
集电极 - 基极电压VCBO：175 V
集电极 - 发射极最大电压VCEO：120 V
发射极 - 基极电压VEBO：5 V
集电极最大直流电流：3 A
增益带宽产品fT：130 MHz
直流集电极/增益hfe最小值：275 at 10 mA at 10 V, 300 at 1 A at 10 V, 50 at 3 A at 10 V
最高工作温度：+ 150 C
安装风格：Through Hole
封装/外壳：TO-92
连续集电极电流：3 A
直流电流增益hFE最大值：275 at 10 mA at 10 V
最大功率耗散：1 W
最低工作温度：- 55 C
封装：Bulk
工厂包装数量：4000
寿命：Obsolete
电流 - 集电极（ Ic）（最大）：3A
晶体管类型：NPN
安装类型：Through Hole
频率 - 转换：130MHz
下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：310mV @ 150mA, 3A
电流 - 集电极截止（最大）：10nA
标准包装：2,000
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：120V
供应商设备封装：E-Line (TO-92 compatible)
功率 - 最大：1W
直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时：300 @ 1A, 10V
RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant