Rohs：Lead free / RoHS Compliant
标准包装：2,000
晶体管类型：NPN
- 集电极电流（Ic）（最大）：4A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：17.5V
Vce饱和（最大）@ IB，IC：245mV @ 20mA, 4A
电流 - 集电极截止（最大）：10nA
直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE：300 @ 1A, 2V
功率 - 最大：1W
频率转换：150MHz
安装类型
：Through Hole
包/盒
：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
供应商器件封装：TO-92-3
包装材料
：Tape & Box (TB)
包装：3E-Line
类型：NPN
引脚数：3
最大集电极发射极电压：17.5 V
集电极最大直流电流：4 A
最小直流电流增益：280@10mA@2V|300@500mA@2V|300@1A@2V|220@4A@2V|50@20A@2V
最大工作频率：150(Typ) MHz
最大集电极发射极饱和电压：0.045@10mA@0.5A|0.75@10mA@1A|0.15@10mA@2A|0.245@20mA@4A V
最大集电极基极电压：50 V
工作温度：-55 to 200 °C
最大功率耗散：1000 mW
安装：Through Hole
标准包装：Ammo Pack
产品种类：Transistors Bipolar - BJT
RoHS：RoHS Compliant
配置：Single
晶体管极性：NPN
集电极 - 基极电压VCBO：50 V
集电极 - 发射极最大电压VCEO：17.5 V
发射极 - 基极电压VEBO：5 V
增益带宽产品fT：150 MHz
直流集电极/增益hfe最小值：280 at 10 mA at 2 V, 300 at 500 mA at 2 V, 300 at 1 A at 2 V, 220 at 4 A at 2 V, 50 at 20 A at 2 V
最高工作温度：+ 150 C
安装风格：Through Hole
封装/外壳：TO-92
连续集电极电流：4 A
直流电流增益hFE最大值：280 at 10 mA at 2 V
最低工作温度：- 55 C
封装：Bulk
工厂包装数量：2000
单位包：2000
最小起订量：2000
电流 - 集电极（ Ic）（最大）：4A
晶体管类型：NPN
安装类型：Through Hole
频率 - 转换：150MHz
下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件：245mV @ 20mA, 4A
电流 - 集电极截止（最大）：10nA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：17.5V
供应商设备封装：E-Line (TO-92 compatible)
功率 - 最大：1W