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XP236N2001TR-G /GENERAL-PURPOSE N-CHANNEL MOSFET
XP236N2001TR-G的规格信息
XP236N2001TR-G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

包装Digi-Reel® 得捷定制卷带

系列-

零件状态有源

FET 类型N 通道

技术MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)2A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,4.5V

不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)110毫欧 @ 1A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)4.1nC @ 6V

Vgs(最大值)±8V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)230pF @ 10V

FET 功能-

功率耗散(最大值)400mW(Ta)

工作温度150°C(TJ)

安装类型表面贴装型

供应商器件封装SOT-23

封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商XP236N2001TR-G
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