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XP231P02013R-G /GENERAL-PURPOSE N-CHANNEL MOSFET
XP231P02013R-G的规格信息
暂无图片

图像仅供参考,请参阅规格书

包装

系列*

零件状态有源

FET 类型-

技术-

漏源电压(Vdss)-

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)-

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)-

不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)-

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)-

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)-

Vgs(最大值)-

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)-

FET 功能-

功率耗散(最大值)-

工作温度-

安装类型-

供应商器件封装-

封装/外壳-

供应商XP231P02013R-G
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深圳市高捷芯城科技有限公司XP231P02013R-G深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
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