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WNM6002-3/TR /连续漏极电流(Id)(25°C 时):300mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:2Ω @ 370mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):370mW 类型:N沟道
WNM6002-3/TR的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)60V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)300mA

栅源极阈值电压2V @ 250uA

漏源导通电阻2Ω @ 370mA,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)370mW

类型N沟道

供应商WNM6002-3/TR
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WNM6002-3/TR连续漏极电流(Id)(25°C 时):300mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:2Ω @ 370mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):370mW 类型:N沟道WILLSEMI(韦尔)WILLSEMI(韦尔)的LOGO2.66 Mbytes共10页WNM6002-3/TR的PDF下载地址
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WNM6002-3/TRWILLSEMI(韦尔)连续漏极电流(Id)(25°C 时):300mA 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:2Ω @ 370mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):370mW 类型:N沟道20+:¥0.161888
200+:¥0.121857
600+:¥0.114504
2000+:¥0.107151
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20000+:¥0.102269