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WNM2016-3/TR /连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.9A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:47mΩ @ 3.6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):700mW 类型:N沟道
WNM2016-3/TR的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)20V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)2.9A

栅源极阈值电压1V @ 250uA

漏源导通电阻47mΩ @ 3.6A,4.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)700mW

类型N沟道

供应商WNM2016-3/TR
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WNM2016-3/TRWILLSEMI(韦尔)连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.9A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:47mΩ @ 3.6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):700mW 类型:N沟道10+:¥0.251913
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