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W3E32M72S-266SBI / DRAM Module DDR SDRAM 256Mbyte
W3E32M72S-266SBI的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

典型工作电源电压:2.5

标准包装名称:BGA

总密度:256Mbyte

最高工作温度:85

最大时钟频率:266

数据总线宽度:72

最低工作温度:-40

最大随机存取时间:0.75

每个模块的芯片数量:5

子类别:DDR SDRAM

欧盟RoHS指令:Not Compliant

主要类别:DRAM Module

组织:32Mx72

供应商封装形式:BGA

筛选等级:Industrial

最大工作电源电压:2.7

芯片封装类型:PBGA

最低工作电源电压:2.3

引脚数:208

铅形状:Ball

供应商W3E32M72S-266SBI
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W3E32M72S-266SBI32Mx72 DDR SDRAM WEDC[White Electronic Designs Corporation]WEDC[White Electronic Designs Corporation]的LOGO465.39 Kbytes共19页W3E32M72S-266SBI的PDF下载地址W3E32M72SR-XSBX,W3E32M72S-XBX,W3EG7232S-AD4,W3EG7234S-D3,W3EG7236S-D3,WED3EG7232S-JD3,V58C2128,DDRSDRAM,HB54R1G9F2,MT46H32M16
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W3E32M72S-266SBIMicrosemi CorporationSDRAM MEMORY1 : $0.0