图像仅供参考,请参阅规格书
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)10A,8A
栅源极阈值电压2.4V @ 250uA
漏源导通电阻29mΩ @ 4A,4.5V;47mΩ @ 4A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)2W
类型N沟道和P沟道