VSO008N10MS
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):17A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.3V @ 250uA 漏源导通电阻:8mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:N沟道
VSO008N10MS的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)17A
栅源极阈值电压2.3V @ 250uA
漏源导通电阻8mΩ @ 10A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)3.1W
类型N沟道
VSO008N10MS
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| VSO008N10MS | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):17A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.3V @ 250uA 漏源导通电阻:8mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:N沟道 | Vanguard(威兆) |  | 799.98 Kbytes | 共6页 |  | 无 |
VSO008N10MS的全球分销商及价格
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 立创商城 | VSO008N10MS | Vanguard(威兆) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):17A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.3V @ 250uA 漏源导通电阻:8mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:N沟道 | 1+:¥2.86 10+:¥2.15 30+:¥2.01 100+:¥1.88 500+:¥1.82 1000+:¥1.8
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