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VS5814DS /连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A 漏源电压(Vdss):55V 栅源极阈值电压:2.4V @ 250uA 漏源导通电阻:29mΩ @ 6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道
VS5814DS的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)55V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)9A

栅源极阈值电压2.4V @ 250uA

漏源导通电阻29mΩ @ 6A,4.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)2W

类型N沟道

供应商VS5814DS
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VS5814DS连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A 漏源电压(Vdss):55V 栅源极阈值电压:2.4V @ 250uA 漏源导通电阻:29mΩ @ 6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道Vanguard(威兆)Vanguard(威兆)的LOGO745.85 Kbytes共6页VS5814DS的PDF下载地址
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VS5814DSVanguard(威兆)连续漏极电流(Id)(25°C 时):9A 漏源电压(Vdss):55V 栅源极阈值电压:2.4V @ 250uA 漏源导通电阻:29mΩ @ 6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道1+:¥1.5998
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