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VS5810AS /连续漏极电流(Id)(25°C 时):15A 漏源电压(Vdss):55V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:12mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:N沟道
VS5810AS的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)55V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)15A

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻12mΩ @ 5A,4.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)3.1W

类型N沟道

供应商VS5810AS
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VS5810AS连续漏极电流(Id)(25°C 时):15A 漏源电压(Vdss):55V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:12mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:N沟道Vanguard(威兆)Vanguard(威兆)的LOGO603.91 Kbytes共6页VS5810AS的PDF下载地址
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VS5810ASVanguard(威兆)连续漏极电流(Id)(25°C 时):15A 漏源电压(Vdss):55V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:12mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.1W 类型:N沟道1+:¥1.382
10+:¥1.0181
30+:¥0.9513
100+:¥0.8844
500+:¥0.8547
1000+:¥0.8401