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VS4080AI /连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5mΩ @ 15A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):75W(Tc) 类型:N沟道
VS4080AI的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)40V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)80A(Tc)

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻8.5mΩ @ 15A,4.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)75W(Tc)

类型N沟道

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VS4080AI连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5mΩ @ 15A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):75W(Tc) 类型:N沟道Vanguard(威兆)Vanguard(威兆)的LOGO566.63 Kbytes共6页VS4080AI的PDF下载地址
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VS4080AIVanguard(威兆)连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5mΩ @ 15A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):75W(Tc) 类型:N沟道1+:¥1.0386
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