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VS40200AT /连续漏极电流(Id)(25°C 时):200A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2.4V @ 250uA 漏源导通电阻:6mΩ @ 30A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):150W(Tc) 类型:N沟道
VS40200AT的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)40V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)200A(Tc)

栅源极阈值电压2.4V @ 250uA

漏源导通电阻6mΩ @ 30A,4.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)150W(Tc)

类型N沟道

供应商VS40200AT
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深圳市天卓伟业电子有限公司VS40200AT深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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VS40200AT连续漏极电流(Id)(25°C 时):200A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2.4V @ 250uA 漏源导通电阻:6mΩ @ 30A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):150W(Tc) 类型:N沟道Vanguard(威兆)Vanguard(威兆)的LOGO401.44 Kbytes共5页VS40200AT的PDF下载地址
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VS40200ATVanguard(威兆)连续漏极电流(Id)(25°C 时):200A(Tc) 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:2.4V @ 250uA 漏源导通电阻:6mΩ @ 30A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):150W(Tc) 类型:N沟道1+:¥3.3
10+:¥2.46
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500+:¥2.09
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