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VQ1000P-E3 /MOSFET N-CH 60V 0.225A
VQ1000P-E3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

产品种类:MOSFET

晶体管极性:N-Channel

汲极/源极击穿电压:60 V

闸/源击穿电压:+/- 20 V

漏极连续电流:0.225 A

导通电阻:5.5 Ohms

配置:Quad

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:PDIP-14

封装:Bulk

商标:Vishay / Siliconix

最小工作温度:- 55 C

功率耗散:2000 mW

工厂包装数量:25

ROHS: 无铅

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