制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS:否

Id-连续漏极电流:225 mA

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Rds On-漏源导通电阻:5500 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.3 W

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:P 1000 DIP-14

封装:Tube

商标:Vishay / Siliconix

通道模式:Enhancement

配置:Quad

最小工作温度:- 55 C

工厂包装数量:25