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VNP10N06-E /MOSFET N-Ch 60V 10A OmniFET
VNP10N06-E的规格信息
VNP10N06-E的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:10 A

Rds On-漏源导通电阻:150 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Pd-功率耗散:42 W

资格:AEC-Q101

封装:Tube

系列:VNP10N06

类型:Power MOSFET

商标:STMicroelectronics

产品类型:MOSFET

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

单位重量:330 mg

供应商VNP10N06-E
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