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VNN3NV04PTR-E /门驱动器 OMNIFET III Low Side 120mOhm 3.5A 40V
VNN3NV04PTR-E的规格信息
VNN3NV04PTR-E的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:STMicroelectronics

产品种类:门驱动器

RoHS:是

产品:MOSFET Gate Drivers

类型:Low Side

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-223

激励器数量:1 Driver

输出端数量:1 Output

输出电流:3.5 A

上升时间:250 ns

下降时间:250 ns

电源电压-最小:2.5 V

电源电压-最大:55 V

工作电源电流:100 uA

Pd-功率耗散:35 W

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:VNN3NV04P-E

资格:AEC-Q100

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

工作温度范围:- 40 C to + 150 C

技术:Si

商标:STMicroelectronics

最大关闭延迟时间:450 ns (Typ)

最大开启延迟时间:90 ns (Typ)

湿度敏感性:Yes

产品类型:Gate Drivers

工厂包装数量:1000

子类别:PMIC - Power Management ICs

单位重量:112 mg

供应商VNN3NV04PTR-E
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深圳市芯幂科技有限公司VNN3NV04PTR-E深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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18898775818,13612825669		廖先生，连敏妹Email:liaominggui@lxbchip.com询价
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立创商城		VNN3NV04PTR-EST(意法半导体)MOS驱动1+:￥3.472
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