FET 类型N 和 P 沟道
FET 功能逻辑电平栅极,4V 驱动
漏源电压(Vdss)60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)3A,2.5A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)80 毫欧 @ 1.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.6V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)10nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)505pF @ 20V
功率 - 最大值1W
工作温度150°C(TJ)
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SMD,扁平引线
供应商器件封装SOT-28FL/VEC8
无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs