制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:VEC-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:3 A, 2.5 A

Rds On-漏源导通电阻:116 mOhms, 194 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.2 V, 2.6 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:10 nC, 11 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:900 mW

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

系列:VEC2616

晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel

商标:ON Semiconductor

正向跨导 - 最小值:2.6 S, 3.9 S

下降时间:22 ns, 36 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:7.5 ns, 9.8 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:41 ns, 65 ns

典型接通延迟时间:7.3 ns, 6.4 ns