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商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)5.3A(Tc),4.9A(Tc)
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻28mΩ @ 4.3A,10V;60mΩ @ 3.1A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)3.1W(Tc),3.4W(Tc)
类型N沟道和P沟道