图像仅供参考,请参阅规格书
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)8A(Tc)
栅源极阈值电压2V @ 250uA
漏源导通电阻18mΩ @ 6.8A,10V;40mΩ @ 8A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)3.1W(Tc),3.2W(Tc)
类型N沟道和P沟道