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VB8658 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.5A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:- 漏源导通电阻:- 最大功率耗散(Ta=25°C):4.2W 类型:P沟道
VB8658的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)-60V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)6.5A

栅源极阈值电压-

漏源导通电阻-

最大功率耗散(Ta=25°C)4.2W

类型P沟道

供应商VB8658
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VB8658VBsemi(台湾微碧)连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.5A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:- 漏源导通电阻:- 最大功率耗散(Ta=25°C):4.2W 类型:P沟道1+:¥1.3089
10+:¥0.9842
30+:¥0.9245
100+:¥0.8649
500+:¥0.8384
1000+:¥0.8253