VB8658
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.5A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:- 漏源导通电阻:- 最大功率耗散(Ta=25°C):4.2W 类型:P沟道
VB8658的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)-60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)6.5A
栅源极阈值电压-
漏源导通电阻-
最大功率耗散(Ta=25°C)4.2W
类型P沟道
VB8658
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VB8658 | P-Channel 60 V (D-S) MOSFET | VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd] | ![VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]的LOGO](/PdfSupLogo/1345VBSEMI.GIF) | 747.75 Kbytes | 共7页 |  | 无 |
VB8658的全球分销商及价格
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