图像仅供参考,请参阅规格书
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)6A(Tc)
栅源极阈值电压1.5V @ 250uA
漏源导通电阻30mΩ @ 5.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)2.5W(Tc)
类型N沟道