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VB7322 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:30mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W(Tc) 类型:N沟道
VB7322的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)6A(Tc)

栅源极阈值电压1.5V @ 250uA

漏源导通电阻30mΩ @ 5.5A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)2.5W(Tc)

类型N沟道

供应商VB7322
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VB7322VBsemi(台湾微碧)连续漏极电流(Id)(25°C 时):6A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:30mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W(Tc) 类型:N沟道1+:¥0.8758
10+:¥0.6386
30+:¥0.5951
100+:¥0.5515
500+:¥0.5321
1000+:¥0.5226