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VB264K /连续漏极电流(Id)(25°C 时):185mA 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:4Ω @ 100mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:P沟道
VB264K的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)-60V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)185mA

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻4Ω @ 100mA,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)350mW

类型P沟道

供应商VB264K
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VB264KVBsemi(台湾微碧)连续漏极电流(Id)(25°C 时):185mA 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:4Ω @ 100mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:P沟道10+:¥0.302529
100+:¥0.217313
300+:¥0.201661
1000+:¥0.186009
5000+:¥0.179053
10000+:¥0.175615