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VB2355 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：55mΩ @ 4.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W(Tc) 类型：P沟道

VB2355的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）30V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）5.6A(Tc)

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻55mΩ @ 4.4A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）2.5W(Tc)

类型P沟道

VB2355

VB2355的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
集好芯城	VB2355	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-23903180 13360063783	杨先生	询价
深圳市芯幂科技有限公司	VB2355	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	VB2355	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
万三科技（深圳）有限公司	VB2355	深圳市龙华区民治街道新牛社区布龙路1010号智慧谷创新园609	0755-21006672 18188642307	王小康	询价
深圳市微碧半导体有限公司	VB2355	深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋东5层502	0755-83204141 18118747668	许小姐	询价
深圳市华科芯电子科技有限公司	VB2355	深圳市福田区红荔路3011号上步工业区501栋415室	0755-83228535 13554802629	李先生	询价

VB2355及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
VB2355	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]		679.08 Kbytes	共9页		无

VB2355的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
立创商城	VB2355	VBsemi(台湾微碧)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.6A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：55mΩ @ 4.4A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W(Tc) 类型：P沟道	5+:￥0.406833 50+:￥0.296809 150+:￥0.2766 500+:￥0.256392 2500+:￥0.24741 5000+:￥0.242972

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