UT9564G-SO8-R
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):7.3A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:28mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:P沟道
UT9564G-SO8-R的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)7.3A
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻28mΩ @ 7A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)2.5W
类型P沟道
UT9564G-SO8-R
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UT9564G-SO8-R | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7.3A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:28mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:P沟道 | UTC(友顺) |  | 211.68 Kbytes | 共4页 |  | 无 |
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 立创商城 | UT9564G-SO8-R | UTC(友顺) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7.3A 漏源电压(Vdss):40V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:28mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:P沟道 | 1+:¥2.6 10+:¥1.95 30+:¥1.83 100+:¥1.71
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