制造商:ROHM Semiconductor
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:HUML2020L-8
通道数量:2 Channel
晶体管极性:N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压:20 V
Id-连续漏极电流:5.5 A, 5 A
Rds On-漏源导通电阻:30 mOhms, 42 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:500 mV, 1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压:8 V
Qg-栅极电荷:4 nC, 6.5 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:2 W
配置:Dual
通道模式:Enhancement
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel
商标:ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值:3.1 S, 4.1 S
下降时间:5.5 ns, 30 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:5.9 ns, 36 ns
工厂包装数量:3000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:24 ns, 50 ns
典型接通延迟时间:7.8 ns, 9 ns
零件号别名:UT6MA3