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UT6MA3TCR /MOSFET 20V Nch+Pch Si MOSFET
UT6MA3TCR的规格信息
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制造商:ROHM Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:HUML2020L-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel, P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:5.5 A, 5 A

Rds On-漏源导通电阻:30 mOhms, 42 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:500 mV, 1.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:8 V

Qg-栅极电荷:4 nC, 6.5 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2 W

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

晶体管类型:1 N-Channel, 1 P-Channel

商标:ROHM Semiconductor

正向跨导 - 最小值:3.1 S, 4.1 S

下降时间:5.5 ns, 30 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:5.9 ns, 36 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:24 ns, 50 ns

典型接通延迟时间:7.8 ns, 9 ns

零件号别名:UT6MA3

供应商UT6MA3TCR
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UT6MA3TCRMOSFET 20V Nch+Pch Si MOSFETROHM SemiconductorROHM Semiconductor的LOGO2.21 Mbytes共22页UT6MA3TCR的PDF下载地址
UT6MA3TCR连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A,5.5A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 1mA 漏源导通电阻:59mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道和P沟道ROHM(罗姆)ROHM(罗姆)的LOGO4.23 Mbytes共23页UT6MA3TCR的PDF下载地址
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UT6MA3TCRROHM SemiconductorMOSFET 20V Nch+Pch Si MOSFET1:¥5.989
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UT6MA3TCRROHM(罗姆)连续漏极电流(Id)(25°C 时):5A,5.5A 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1.5V @ 1mA 漏源导通电阻:59mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道和P沟道1+:¥0.762
10+:¥0.744