UT4421G-SO8-R
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.2A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:40mΩ @ 6.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:P沟道
UT4421G-SO8-R的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)-60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)6.2A
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻40mΩ @ 6.2A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)2W
类型P沟道
UT4421G-SO8-R
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UT4421G-SO8-R | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.2A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:40mΩ @ 6.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:P沟道 | UTC(友顺) |  | 272.83 Kbytes | 共5页 |  | 无 |
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 立创商城 | UT4421G-SO8-R | UTC(友顺) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.2A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:40mΩ @ 6.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:P沟道 | 1+:¥1.5228 10+:¥1.1717 30+:¥1.1072 100+:¥1.0426
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