UT3N06L-TM3-T
/连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:90mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.13W 类型:N沟道
UT3N06L-TM3-T的规格信息
商品类型MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)3A
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻90mΩ @ 3A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)1.13W
类型N沟道
UT3N06L-TM3-T
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UT3N06L-TM3-T | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET | UTC[Unisonic Technologies] | ![UTC[Unisonic Technologies]的LOGO](/PdfSupLogo/171UTC.GIF) | 241.18 Kbytes | 共4页 |  | 无 |
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