图像仅供参考，请参阅规格书
FET 类型N 和 P 沟道
FET 功能逻辑电平门
漏源电压（Vdss）50V，30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）100mA
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）12 欧姆 @ 10mA，4V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1.5V @ 1µA
功率 - 最大值125mW
工作温度125°C（TJ）
安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-563，SOT-666
供应商器件封装SSMINI6-F1
无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs