晶体管类型1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）

电流 - 集电极（Ic）（最大值）100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）50V

电阻器 - 基底（R1）4.7 千欧

电阻器 - 发射极基底（R2）47 千欧

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）80 @ 5mA，10V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）300mV @ 300µA，10mA

电流 - 集电极截止（最大值）500nA

频率 - 跃迁150MHz，80MHz

功率 - 最大值125mW

安装类型表面贴装

封装/外壳SOT-563，SOT-666

供应商器件封装SSMINI6-F1

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs