晶体管类型1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
电流 - 集电极（Ic）（最大值）100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）50V，30V
电阻器 - 基底（R1）10 千欧
电阻器 - 发射极基底（R2）10 千欧，47 千欧
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）35 @ 5mA，10V / 80 @ 5mA，10V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）250mV @ 300µA，10mA / 1.2V @ 330µA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）500nA
频率 - 跃迁150MHz，80MHz
功率 - 最大值125mW
安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-665
供应商器件封装SS迷你型5-F3
无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs