FET 类型2 个 N 沟道（双）

FET 功能逻辑电平门

漏源电压（Vdss）30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）100mA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）8 欧姆 @ 10mA，4V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）1.5V @ 1µA

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）12pF @ 3V

功率 - 最大值125mW

工作温度125°C（TJ）

安装类型表面贴装

封装/外壳SOT-665

供应商器件封装SSMini5-F2

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs