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UNR221V00L /
UNR221V00L的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

晶体管类型NPN - 预偏压

电流 - 集电极(Ic)(最大值)100mA

电压 - 集射极击穿(最大值)50V

电阻器 - 基底(R1)2.2 kOhms

电阻器 - 发射极基底(R2)2.2 kOhms

不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)6 @ 5mA,10V

不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)250mV @ 1.5mA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值)500nA

频率 - 跃迁150MHz

功率 - 最大值200mW

安装类型表面贴装

封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装迷你型3-G1

无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs

供应商UNR221V00L
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深圳市芯幂科技有限公司UNR221V00L深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司UNR221V00L深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
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深圳市德州众泰科技有限公司UNR221V00L深圳市福田区汉国中心55楼0755-82575351
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深圳市鹏芯微世纪电子有限公司UNR221V00L佳和潮流前线负1楼1A058(扶手梯旁边)0755-82716291
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