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UNR211V /PNP硅外延平面型 Silicon PNP epitaxial planar type
UNR211V的规格信息
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图像仅供参考，请参阅规格书

封装:Mini3-G1

极性:PNP

击穿电压(集电极-发射极):50V

集电极最大允许电流:100mA

产品生命周期:Not Listed by Manufacturer

供应商UNR211V
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