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UNR211E /PNP硅外延平面型 Silicon PNP epitaxial planar type
UNR211E的规格信息
UNR211E的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

封装:Mini3-G1

极性:PNP

击穿电压(集电极-发射极):50V

集电极最大允许电流:100mA

RoHS标准:Compliant

产品生命周期:Not Listed by Manufacturer

供应商UNR211E
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深圳市坤融电子有限公司UNR211E航都大厦10I0755-23990975
17318082080，13510287235		肖瑶，树平Email:hzk@krchips.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司UNR211E深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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深圳市芯幂科技有限公司UNR211E深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
集好芯城UNR211E00L深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-23903180
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深圳市赛美科科技有限公司UNR211E广东省深圳市福田区华强北上步工业区101栋5楼A5950755-28309323
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京海半导体（深圳）有限公司UNR211E00L坂田街道五和大道山海大厦C栋70613424293273
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