包装管件

系列-

零件状态有源

FET 类型P 通道

技术SiCFET（共源共栅 SiCJFET）

漏源电压（Vdss）1200V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）107A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）12V

不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）21毫欧 @ 50A，12V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）6V @ 10mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）218nC @ 15V

Vgs（最大值）±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）7824pF @ 800V

FET 功能-

功率耗散（最大值）517W（Tc）

工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型通孔

供应商器件封装TO-247-4

封装/外壳TO-247-4