图像仅供参考，请参阅规格书
驱动配置低压侧
通道类型独立式
驱动器数2
栅极类型N 沟道，P 沟道 MOSFET
电压 - 电源4.5 V ~ 15 V
逻辑电压 - VIL，VIH1V，2V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）4A，4A
输入类型反相，非反相
上升/下降时间（典型值）20ns，15ns
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装8-SOIC
无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs